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1、表面势垒低于导带底的光阴极（如GaAs:Cs-O) 。表面势垒高于导带底的称为正电子亲和势光阴极(如Sb-K-Na-Cs)；表面势垒平于导带底的称为零电子亲和势光阴极 。
2、介绍：表面势垒低于导带底的光阴极（如GaAs:Cs-O) 。表面势垒高于导带底的称为正电子亲和势光阴极(如Sb-K-Na-Cs)；表面势垒平于导带底的称为零电子亲和势光阴极 。
【什么是负电子亲和势光电阴极 负电子亲和势光电阴极介绍】3、1963年美国 R. E.西蒙斯根据半导体能带理论提出负电子亲和势概念 。1965年荷兰J.J.席尔和J.范拉制成GaAs:Gs光阴极 。人们又制出其他Ⅲ-Ⅴ族化合物光阴极，如 InP，GaxIn1-xAs(0xyIn1-yPzAs1-z（0yz2O,它与P型Ⅲ-Ⅴ族化合物晶体（如掺Zn的GaSb）接触，形成异质结 。此模型给出在表面吸附层内有一界面势垒（约 1.2电子伏） 。根据偶极子模型，Cs-O层是很薄的Cs偶极子与Cs2O偶极子串联的双偶极子,其厚度约8埃 。这与单原子尺度的实验是一致的 。

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