怀着一颗爱国心杨鑫想造中国“芯”｜科学之恋·湖湘青年科技工作者群像本文转自：北青网编者按：青

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编者按：青年科技工作者创新活力足、创新能力强、创新潜力大。惟楚有材，于斯为盛。心怀理想、富有创新精神的湖湘青年科技工作者们，是全面落实“三高四新”战略定位和使命任务、建设社会主义现代化新湖南的生力军，是中华民族伟大复兴的突击队。红网时刻新闻即日起推出《科学之恋·湖湘青年科技工作者群像》系列报道，为这些湖湘青年科技才俊鼓与呼。

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湖南大学电气与信息工程学院教授、博士生导师杨鑫。
红网时刻采访人员刘志雄朱丽萍实习生胡兴海长沙报道
如果说以CPU为代表的集成电路领域是现代设备的“大脑” ，那么功率半导体芯片就是提供动力的“心脏” 。从剑桥大学回国后，湖南大学电气与信息工程学院教授杨鑫一心扑在了功率半导体研究上，他想造“中国芯” 。
“我们国家在这方面曾落后了30年啊，被卡了太久脖子。”杨鑫感慨道。
杨鑫关注功率半导体，源于他本科期间老师说的一句话， “功率半导体是电能转换的核心，一代功率半导体芯片决定一代设备性能。”更源于杨鑫的一颗“中国心” ，从小父母便教育杨鑫，一定要做国家不可或缺的人才。
日前，以杨鑫为第一作者的课题研究成果，发表于某国际顶级物理学学术刊物。该成果为解决新型功率半导体振荡严重的问题提供了一种全新思路。
“这个成果能使第三代半导体器件开关速度快和损耗低的优势得以完全发挥，对于大功率、极高功率密度变换器装备的研制有重要意义。”杨鑫介绍。

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杨鑫用于实验的半导体元器件。
功率半导体应用很广泛，大到高速列车，小至手机充电器，都需要用到功率半导体。
“几乎涉及电能转换的，都需要功率半导体的参与。”杨鑫说， “但包括IGBT（绝缘栅双极晶体管）在内的功率半导体器件，我们国家曾一度远落后于欧洲。”
IGBT长期被发达国家垄断。2009年，为了学习先进半导体知识，杨鑫先后在帝国理工学院和剑桥大学攻读硕士、博士学位。
在剑桥大学期间，杨鑫在和中车株洲所及相关公司的接触中，坚定了回国的想法。“我们自己很多技术没人家先进，就得看别人脸色。那感觉太差了。”杨鑫说， “当时就觉得国家迫切需要这方面技术，我实现自我价值报效祖国的时候到了。”

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杨鑫带着学生在实验室工作。
2015年，杨鑫从英国回到故土湖南。2018年，他获聘为湖南大学电气与信息工程学院教授、博士生导师。湖南大学较为完备的青年教师激励制度和岳麓山下自由开放的学术环境，给了杨鑫巨大的前进动力。
近几年，杨鑫主持或参与了多个国家级科研项目，发表高水平论文40余篇，申请发明专利20余项。
“我是带着一颗为国求学的初心出去的，回来后又感受到了国家尤其是湖南对人才的重视，唯有加倍努力，做出成果，才能不负党和人民所盼。”在交谈中，杨鑫多次说起，他想为国家在关键技术上的突破作出贡献。
在杨鑫看来，他的学术成就离不开国家相关政策的支持。他曾入选国家有关人才计划，能在中国工程院院士罗安团队中学习历练也得益于湖湘青年英才支持计划。

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