让QLC闪存拥有SLC性能?X-NAND技术专利已获批准
【天极网DIY硬件频道】在SSD固态硬盘高速发展的过去十年 , 固态硬盘硬盘的读写速度、价格和性价比都变得越来越高 。得益于技术的不断进步 , 固态硬盘的闪存类型从1?bit的SLC发展到2?bit的MLC、3?bit的TLC和、4-bit的QLC , 下一代5?bit的PLC也已经在开发当中 。
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虽然SLC类型的NAND闪存拥有的不俗的速度和最优秀的耐用性 , 但较低的数据密度和高企的制造成本 , 让它不适合民用市场 。TLC和QLC闪存虽然寿命和性能略差 , 但DRAM和SLC缓存策略下 , 让它们成为消费市场的最大赢家 。
在2020年的闪存峰会上 , 成立于2012年的闪存设计与半导体初创企业Neo?Semiconductor就披露了X-NAND , 宣称能够为闪存技术带来更高的性能与成本效益 。与该技术相关的两项关键专利在本月得到正式授予 。随着X-NAND技术的问世 , 固态硬盘产品的发展趋势将得到延续 。
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X-NAND的特点是在单个封装中结合SLC?NAND的性能优势以及多bit的存储密度 。与传统方案相比 , X-NAND可将闪存芯片的缓冲区大小减少多达94% , 使制造商能够将每个芯片的平面数量从2-4个大幅增加到16-64个 。NAND芯片在该技术下可实现更高的读取和写入并行性能 , 进而提升SLC?NAND的性能 。X-NAND理论上可将顺序读取速率提升至QLC的27倍、将顺序写入速率提升15倍 , 同时将随机读写性能提升3倍 。
同时得益于NAND芯片的更小、更低功耗 , X-NAND技术产品的制造成本可控制到QLC级别 。耐用性方面 , Neo?Semiconductor声称比传统TLC/QLC闪存好一些 , 但有多大的改善目前不得而知 。
目前 , Neo?Semiconductor正在寻求与三星、英特尔、美光、铠侠、西部数据、SK海力士等NAND制造商建立合作伙伴关系 。
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编辑点评:对于4?bit位的QLC产品来时 , 它的出现可能会扮演“救星”的作用 , 当下的QLC产品普遍存在连续读写性能差的问题 , 大文件读写时掉速、响应速度慢 , 而且耐用性不如TLC产品 。X-NAND如果能够为QLC闪存提供稳定的性能和耐用性 , 相信各大闪存制造商都会十分关注
【让QLC闪存拥有SLC性能?X-NAND技术专利已获批准】来源:天极网
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