在三星技术论坛上 ， 三星公布了第八代V-NAND的细节 。第八代V-NAND堆栈可达200多层 ， 容量可达1Tbit ，512GB容量的厚度仅为0.8mm ， 可用于手机 。

文章图片

文章图片
三星的V-NAND闪存现已发展到第七代V-NAND V7 ， 176层堆栈 ， TLC版核心容量512Gbit ， 而即将推出的V-NAND V8将有超过 200 层 。
虽然三星没有提到具体的层数 ， 但之前的报道指出是228层 ， 增加了约30% ， 存储密度增加了约40% 。V-NAND V8闪存的单核容量也由之前的512Gbit翻倍至1Tbit ， 性能也更强 。
【512G仅0.8mm，三星将推第八代NAND闪存】来源：中关村在线

• 小米11tpro支持120w超级闪充仅需17分钟
• 距“神秘小屋”仅80米，玉兔二号爬行竟数月，拍摄的照片令人意外
• 仅899元 乐视K12“顶侧双吸”油烟机来了
• 中国人均每天用手机3.3小时 仅排名全球17位
• 蒙眼速通只狼|蒙眼速通《只狼》！速通游戏大会国外玩家仅2小时蒙眼通关
• ipad简版imac花费不超300元，仅需背后的支架放下来
• 智库｜不仅是商标的事儿 看看青花椒的大能量
• 荣耀路由4开启首销售价299元首发到手仅269元
• 荣耀路由4首销可享30元优惠仅269元
• 直径仅为5nm！科学家使用DNA，制造出世界上最小的纳米天线