【台积电：3nm工艺发展顺利，正按照计划在下半年量产】在3nm节点 ， 三星为了跟台积电竞争 ， 激进地选择了下一代的GAA晶体管技术 ， 台积电方面更稳妥一些 ， 第一代3nm工艺依然在使用FinFET工艺 ， 好处是今年下半年就可以量产 。
在今天的财报会上 ， 台积电也解释了他们的3nm工艺的进展 ， 强调3nm工艺发展顺利 ， 正按照计划在下半年量产 。
台积电强调 ， 3nm继续使用FinFET晶体管是综合考虑在 ， 能提供给客户最成熟的技术、最好的效能及最佳的成本 。
据台积电官方资料显示 ， 台积电的3nm相比上一代的5nm工艺 ， 在逻辑密度上提升了1.7倍 ， 性能提升了11% ， 同等性能下功耗可降低25-30% 。
此外 ， 台积电也透漏了增强版的3nm工艺N3E ， 称它会在3nm工艺量产一年后量产 ， 也就是在2023年推出 ， 会带来更强的性能 。
不过台积电对N3E的技术细节还是保密 ， 没有透漏是否会升级晶体管架构 。


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