金泰克ddr51rankrgbudimm内存模组结构示意图集微网消息

集微网消息， 2021年金泰克率先在国内现货发售DDR5内存，此次金泰克向AVL实验室提供的KT8GU5MA4-M和KTFGU5MA4-M样品，都通过了各项严苛测试，得到了IntelAVL实验室认证。
UDIMM(小型双列直插式内存模块)应用在标准台式机等应用场合。随着内存模组性能的不断提升，科技发烧友不仅对内存的性能要求增高，对科技感需求也不断提升，因此需要设计一款符合JEDCEDDR5标准且科技感强的DDR5UDIMM内存模组。
为此，金泰克于2021年2月3日申请了一项名为“DDR51RANKRGBUDIMM内存模组”的发明专利（申请号:202120322359.6），申请人为深圳市金泰克半导体有限公司。

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图1DDR51RANKRGBUDIMM内存模组结构示意图
图1为本发明提出的一种DDR51RANKRGBUDIMM内存模组结构示意图，其中DDR5颗粒组110包括分布于内存多个DDR5颗粒，能够存储输入DDR5颗粒的数据，单个DDR5颗粒对外引出的引脚包括：时钟信号线CLK、命令地址信号线CMD/ADDR、控制信号线CTL ，以及数据信号线DQ/DQS ， DDR5颗粒组中多个DDR5颗粒对应的时钟、命令地址以及控制信号线与内存金手指根据Fly-By拓扑结构连接，每颗DDR5颗粒的数据信号线DQ/DQS与内存金手指点对点连接。源于存储器控制器的这些信号以串行的方式连接到DDR5颗粒组中每个DDR5颗粒，因此本申请实施例包括1个RANK ，采用单通道寻址方式，通过减少分支的数量和分支的长度改进了信号完整性。
ODT终端匹配电路120一端引出的多个引脚分别与DDR5颗粒组对外对应的命令地址信号线CMD/ADDR、控制信号线CTL连接，另一端引出的一个引脚与内存金手指中VTT引脚连接，可以将命令地址信号线CMD/ADDR及控制信号线CTL上的信号上拉到VTT电压，以终结数据信号线DQ/DQS上的信号。串接匹配电路130一端引出的若干引脚分别与DDR5颗粒组对应的数据信号线DQ/DQS连接，另一端引出的若干引脚分别与内存金手指连接，调整数据信号线DQ/DQS上的电压。
EEPROM芯片140存储DDR5颗粒组的SPD信息，包括颗粒的厂家、频率、时延、容量。PMIC电源电路150分别与DDR5颗粒组及EEPROM芯片连接并为其供电。RGB灯组160包括多个RGBLED灯进行发光。RGBMCU170与RGB灯组连接并对其进行驱动。RGB电源电路180分别与PMIC电源电路、RGB灯组、RGBMCU连接，变换PMIC电源电路的输出电压后为RGB灯组和RGBMCU供电。

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图2并联电容电路图
图2为并联电容电路图，每颗DDR5颗粒的VDD电源线还与第一并联电容电路以及第二并联电容电路连接，外接4颗电容，实际电容的颗数和容量根据DDR5颗粒与内存条实际情况设置。PMIC电源电路的外出引脚VDD通过第三并联电容电路与内存金手指中VTT引脚连接。三电路都能够滤波。
简而言之，金泰克的DDR5专利，通过采用单通道地址命令寻址方式，能够提供更高的性能，更大的带宽，更快的数据传输和更低的功耗，同时增加了内存模组的科技感。
金泰克专注数据存储，是一家集研发、生产和自主品牌产品营销于一体的快存储专业解决方案提供商。未来，金泰克将持续以“加速人类思考，为世界留下美好记忆”为使命，致力成为生态圈中值得信赖的数据存储合作伙伴。
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