清纯半导体推出首款国产15V驱动SiC Mosfet，已通过 36氪获悉

36氪获悉，国内头部碳化硅器件研发企业「清纯半导体」，近日发布国内首款15V驱动的1200VSiCMosfet器件平台产品。它填补了国内15V驱动SiCMosfet产品的空白，使国内SiC功率器件技术跻身国际领先水平。
这款1200V75mΩSiCMosfet已经通过了车规级测试，且获得了国内领先新能源逆变器制造商的批量订单，后续还将陆续推出该平台下的系列规格产品。
清纯半导体成立于2021年3月，是国内领先的碳化硅功率器件设计和供应商，去年底完成高瓴创投领投的数亿元首轮融资。
公司成立一年来，技术和产品研发同步推进。目前，清纯半导体已突破国产SiC功率器件设计及大规模制造的瓶颈，开发出了具有自主知识产权的SiC二极管及Mosfet器件产品，成为目前国内唯一一家能够在SiC器件核心性能和可靠性上达到国际一流水平、且实现基于国内产线量产SiCMosfet的企业。
自中国明确双碳目标以来，我国新能源行业进入跨越式发展阶段。新能源汽车行业步入爆发期，这催生出了巨大的功率器件市场。国家“十四五”计划点名发展“碳化硅等宽禁带半导体” ，希望国内厂商能尽快追赶国际水平，推出自主可控的产品。
SiC功率器件具有高压、高温及高频的独特优势，是新一代电力转换的核心器件，可以显著提高电力转换效率。目前， SiC功率器件已经在新能源汽车、光伏逆变器、储能等领域获得广泛应用。
SiCMosfet作为应用最广泛的碳化硅功率器件，早已在国内相关行业龙头企业——比亚迪、阳光电源和华为等的旗舰产品系列中广泛使用，而且需求在迅速扩大。不过， SiCMosfet相关核心技术始终未被突破，在产品性能和可靠性方面与国际主流产品仍有较大差距，国内市场主要被国外厂商占据。
该器件主要有18V驱动和15V驱动两个类型。其中， 15V驱动产品优势更加明显：客户采用15V驱动的产品，一是系统可以更好兼容目前IGBT驱动电路；二是进一步提升了器件的可靠性，同时降低了驱动损耗；三是国内驱动芯片厂商大多供应15V的驱动芯片，国产配套容易。
但是， 15V驱动的产品开发难度更大，对产品设计水平和制造工艺的要求也更高。目前，国内已有个别厂家能够少量提供18V驱动的SiCMosfet产品，但国际主流厂商已开始大力推广15V驱动的SiCMosfet ，加快对传统硅基IGBT（绝缘栅双极型晶体管）产品的替代。这进一步拉开了与国内产品的技术代差。
此次清纯半导体发布的15V驱动的1200VSiCMosfet器件平台产品，首次填补了国内该系列产品空白，带领国内SiC功率器件技术跻身国际领先水平。
相较国际主流产品，清纯半导体推出的15V驱动1200VSiCMosfet器件产品，具有更低的导通损耗、更低的热阻、较低开关损耗的特点，综合损耗更小且效率更高。
下表是清纯半导体Mosfet与国际一流产品（源于各产品的规格书）的比较：

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清纯半导体Mosfet与国际一流产品（源于各产品的规格书）比较
除首款1200V75mΩSiCMosfet产品之外，清纯半导体还完成了1200V全系列碳化硅功率器件的产品化，可提供1200V15A、20A、30A、40A等规格SiCSBD（碳化硅-肖特基二极管）及1200V75mΩ、60mΩ、40mΩ、32mΩ及大电流车载芯片等规格SiCMosfet（18V和15V驱动可选）。
【清纯半导体推出首款国产15V驱动SiC Mosfet，已通过】清纯半导体供应的SiC器件比肩国际先进水平产品的性能，可广泛应用于新能源汽车、充电桩、工业电源、光伏逆变、UPS、通信电源等大功率、高频、高效率领域，直接实现SiC器件的替代，进一步推动国产高性能功率芯片的发展和应用。