台积电确定cowos工艺变体cowos-l

【台积电确定cowos工艺变体cowos-l】台积电确定cowos工艺变体cowos-l
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图源:AFP
集微网消息 , 业内人士透露 , 台积电已确定其最新CoWoS工艺变体CoWoS-L是2.5D封装4倍全光罩尺寸的唯一解决方案 , 正与HPC芯片客户合作 , 共同应对基板端的挑战 , 预计将于2023-2024年开始商业生产 。
据《电子时报》报道 , CoWoS-L是台积电专门针对人工智能训练芯片设计的 , 据其介绍 , 该工艺结合了台积电CoWoS-S和信息技术的优点 , 通过中介层、用于芯片间互连的本地硅互连(LSI)芯片以及用于电源和信号传输的RDL层 , 提供了最灵活的集成 。
消息人士称 , 台积电的CoWoS技术是专门为HPC设备应用设计的2.5D晶圆级多芯片封装技术 , 已经投入生产近10年 。凭借CoWoS , 台积电已经从高性能计算处理器供应商 , 如AMD赢得了大量订单 。
台积电传统的带硅中介层的CoWoS技术(CoWoS-S)已进入第五代 。CoWoS-S的硅中介层可以达到2倍以上全光罩尺寸(1700mm2) , 将领先的SoC芯片与四个以上的HBM2/HBM2E堆栈集成在一起 。
在台积电为第71届IEEE电子元器件和技术会议(ECTC)提交的一篇论文中 , 该公司介绍了采用一种新颖的双路光刻拼接方法的CoWoS-S5技术 , 3倍全光罩尺寸(2500mm2)使得硅中介层的可容纳1200mm2的多个逻辑芯片以及八个HBM堆栈 。除了硅中介层的尺寸增加外 , 还加入了新的功能 , 与之前的CoWoS-S组合相比 , 进一步增强了CoWoS-S5的电气和热性能 。
台积电还提供CoWoS-R , 即一种利用其InFO技术的CoWoS工艺变体 , 以利用RDL层实现芯片之间的互连 , 特别是在HBM和SoC异构集成方面 。RDL层由聚合物和微量铜组成 , 具有相对的机械柔性 。
消息人士称 , 尽管最近大众市场消费电子设备的需求越来越不确定 , 但HPC芯片的需求仍有希望 。台积电增强型CoWoS-S封装以及-R和-L工艺变体将能够满足客户对其高性能计算产品的不同需求 。2022年第一季度 , HPC芯片的订单超过智能手机 , 成为台积电最大的收入贡献者 , 将推动其今年纯代工收入增长 。