华为与中科院共研 新3D DRAM芯片有望突破存储关键根技术

近日 , 有日本媒体表示 , 华为将在VLSISymposium2022期间发表其与中科院微电子研究所合作开发的3DDRAM技术 , 进行各种有关内存的演示 。
据外媒透露 , 华为这次发布的3DDRAM技术 , 是基于铟镓锌氧IGZO-FET材料的CAA构型晶体管3DDRAM技术 , 具有出色的温度稳定性和可靠性 。
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【华为与中科院共研 新3D DRAM芯片有望突破存储关键根技术】在华为此前发布的存储器相关文章——《华为麒麟带你一图看懂存储器》中 , 华为表示随着芯片尺寸的微缩 , DRAM工艺微缩将越来越困难 , “摩尔定律”走向极限 , 因此各大厂商在研究3DDRAM作为解决方案来延续DRAM的使用 。
而在IEDM2021上 , 中科院微电子所团队联合华为海思 , 提出了新型垂直环形沟道器件结构(CAA) 。据悉 , 该结构减小了器件面积 , 支持多层堆叠 。其通过将上下两个CAA器件直接相连 , 每个存储单元的尺寸可减小至4F2 。
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责任编辑:宪瑞文章纠错
话题标签:华为DRAM内存颗粒