三星3nm工艺正式量产:弯道超车,下半年才会量产
在6月最后一天 , 三星宣布3nm工艺正式量产 , 这一次三星终于领先台积电率先量产新一代工艺 , 而且是弯道超车 , 后者的3nm今年下半年才会量产 。
根据三星官方介绍 , 在3nm芯片上 , 其放弃了之前的FinFET架构 , 采用了新的GAA晶体管架构 , 大幅改善了芯片的功耗表现 。
【三星3nm工艺正式量产:弯道超车,下半年才会量产】
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与5nm相比 , 新开发的3nmGAE工艺能够降低45%的功耗 , 减少16%的面积 , 并同时提升23%的性能 。
第二代的3nmGAP工艺可以降低50%的功耗 , 提升30%的性能 , 同时面积减少35% , 效果更好 。
再往后呢?三星也有了计划 , 3nmGAP工艺之后就会迎来2nmGAP工艺 , 也是基于纳米片技术的GAA晶体管 , 但是结构进一步优化 , 从3个纳米片提升到4个 , 可以提高驱动电流 , 同时还会优化堆叠结构以提升性能 , 降低功耗 。
2nmGAP工艺的量产时间也定了 , 预计在2025年量产 , 时间点跟台积电量产2nm工艺差不多 , 而且很可能在技术上领先后者 , 因为台积电的2nm工艺在晶体管密度上挤牙膏 , 提升只有10% 。
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