新款手机内置ufs3.1+writeturbo闪存就好像新款PC的主硬盘已经全面

就好像新款PC的主硬盘已经全面过渡到SSD一样，如今智能手机的闪存也都经历了一次较大的迭代，就是从eMMC闪存跨越到了UFS闪存。那么，又有谁在影响UFS闪存的性能呢？

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RAM和ROM的区别
直到现在还有不少朋友搞不清RAM和ROM的差异，本文我们就再做次小科普。RAM代表手机内存（又称“运存”），就好像PC上的内存条，只是手机内存都是一颗单独的芯片。ROM代表存储空间（又称“闪存”），类似PC上的硬盘，而手机上的ROM依旧是以一颗NAND闪存芯片的形态存在。
闪存标准
早期智能手机都内置eMMC闪存，它是在NAND闪存芯片的基础上，额外集成了主控制器，并将二者“打包”封装封成一颗BGA芯片，从而减少了对PCB主板的空间占用。eMMC的最新标准为eMMC5.1 ，常见于千元以内的入门级手机市场，读取速度最高只有400MB/s左右。

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UFS是eMMC的进阶版，它是由多个闪存芯片、主控、缓存组成的阵列式存储模块。UFS弥补了eMMC仅支持半双工运行（读写必须分开执行）的缺陷，可以实现全双工运行，所以性能得以翻番。
UFS目前存在UFS2.0（读取速度700MB/s）、UFS2.1（900MB/s）、UFS2.2（900MB/s）、UFS3.0（1700MB/s）和UFS3.1（1900MB/s）等标准， UFS2.x常见于中低端产品， UFS3.x则是高端手机的标配。

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闪存通道
和内存一样， UFS闪存也存在单通道和双通道之别，两者读写性能相差30%~50%之间。好消息是，如今新款手机都已标配双通道UFS ，所以咱们只要简单了解一下即可。
WriteTurbo技术
WriteTurbo是UFS3.0时期引入的一项虚拟技术，很多品牌主打的闪存增强技术大多是基于它优化而来。我们都知道，现在手机闪存都是TLC介质的NAND芯片，它的优势是可以在每个存储单元中保存3bit ，能以低成本实现更大的容量，但读写，特别是写入速度远不如SLCNAND 。

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所谓的WriteTurbo ，其实就是虚拟SLC技术。它会将部分TLC闪存容量虚拟成SLC ，当手机在写入数据时，系统会优先将其写入到虚拟的SLC空间，由于后者每个存储单元只需保存1bit数据，所以写入速度会有大幅提升（读取速度也有明显提升）。
但是，如果一次写入的数据容量超过了虚拟SLC容量，读写速度便会骤降至TLC的水平上。
【新款手机内置ufs3.1+writeturbo闪存】各大手机厂商会在虚拟SLC的容量和调度规则上存在差异，比如有些厂商会选择全盘虚拟SLC的方式，随着使用空间的逐渐增加，速度会逐渐下降。因此，都是内置UFS3.1+WriteTurbo闪存的手机，它们之间的实际体验可能也有高低之分。
最新量产的UFS2.2 ，本质上其实就是UFS2.1+WriteTurbo ，可以将持续写入速度从250MB/s提升到500MB/s以上。
磁盘阵列存储系统
除了使用WriteTurbo虚拟SLC以外，黑鲨4Pro和黑鲨4S系列还给我们带来了一个全新的思路——磁盘阵列存储系统。

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简单来说，这款手机除了内置闪存芯片以外，还额外添加了一颗来自群联的SSD芯片，并将二者组成了Raid0阵列，如此让手机的读写速度都有着50%以上的提升。