电机驱动(举例说明如何设计电机驱动电路)
对于不同的电机 , 我们应该选择相应的驱动器 。简单来说,大功率的电机要用低内阻大电流余量驱动,小功率的电机可以用小功率驱动 。驱动电机的传统方式是采用PWM控制 。
驱动电机有两种常见方式:
1.采用集成电机驱动芯片;
2.采用MOSFET和专用栅极驱动芯片 。
首先,采用集成电机驱动芯片 。
通过洪都博客,电机驱动模块控制驱动电机两端的电压来制动电机 。我们可以使用飞思卡尔半导体公司的集成桥式驱动芯片MC33886 。MC33886的最大驱动电流为5A,导通电阻为140 mOhms,PWM频率小于10KHz 。具有短路保护、欠压保护和过温保护功能 。小巧好用,但是因为是SMD的封装,散热面积比较小 。大电流长时间工作 , 温升高 。如果长时间工作,必须添加散热器 。而且MC33886的工作内阻比较大 , 有高温保护电路,使用洪都博客很方便 。
下面,我们重点介绍设计驱动电路时最常用的驱动电路 。我们一般用英飞凌公司的半桥驱动芯片BTS7960来搭建全桥驱动 。它的驱动电流在43A左右,而它的升级产品BTS7970可以达到70安培!而且它还有它的替代产品BTN7970,驱动电流最大可达70安培!
【实例讲解电机驱动电路应该如何设计 电机驱动】其内部结构基本相同如下:
每个芯片中有两个MOS晶体管 。当IN为高电平输入时,上MOS管导通,通常称为高端MOS管 。当In为低电平输入时,下面的MOS管导通,通常称为低端MOS管 。当INH为高电平时,整个芯片使能,芯片工作;当INH低时,芯片不工作 。
其典型应用电路图如下图所示:
一般使用INH时 , 我们直接接高电平,这样整个电路就一直处于工作状态 。
下面介绍如何利用这个电路使电机正反转 。如果PWM波输入到PWM1端子 , PWM2端子置0,电机正转;那么当PWM1端为0,PWM 2端输入PWM波时,电机就会反转!这种方法需要两个PWM信号来控制电机!其实PWM1端只能接一个PWM,另一个PWM2端可以接IO口控制方向!如果PWM2=0,PWM1输入信号时电机正转;然后,当PWM2=1为是时,PWM1输入信号马达反转(此时必须注意 , PWM信号以其对应的负占空比空比输入) 。
以上电路,对于普通功率的机箱,已经能够满足其驱动电流,但是对于功率更高的机箱,可能就有点困难了 。尤其是我们加的底盘在不断加速减速的时候,这就需要电机不断的正反旋转 。这个时候电流很大,芯片配合上面的驱动电路会很烫?。≌馐焙蚓托枰肕OSFET和栅极驱动芯片设计自己的H桥了!
第二,电机驱动电路由大功率MOS管组成 。
由于我对这部分的研究还不够深入,以下内容主要参考“337实验室团队”对大功率MOS管构成的电机驱动电路的分析和设计 。
用这种方法,电路非常简单,只需要一个PWM进行控制,管上的功耗比较小,可以有效避免多个MC33886芯片并联时,由于芯片分散,驱动芯片有的发热,有的不发热的现象 。但缺点是不能控制电机的电流方向 , 对提高汽车制动性能明显较弱,允许的电流值也比较小 。
当我们按照下图连接时 , 即两个PWM输入形成一个H桥,就可以通过控制PWM1和PWM2的相对大小来控制电流的方向 , 从而控制电机的转向 。
这里介绍一下IR公司的IR2104,因为IR公司号称功率半导体的老大 , 当然2104也是比较便宜的!IR2104可以驱动两个N沟道MOSFET,可以驱动高端和低端,可以提供更大的栅极驱动电流 。两片IR2104半桥驱动芯片可以组成一个完整的DC电机H桥驱动电路 。但是需要12V驱动!
关键参数的选择:
这种驱动器设计,只分析信号逻辑就很容易理解,但要深入理解并更好地应用 , 就需要对电路进行更深入的分析,对一些外围元器件的参数确定进行理论分析和计算 。
图中的IC是一个高压驱动芯片,用于驱动半桥MOSFET 。Vb,Vs为高压端供电;Ho是高压端的驱动输出;COM为低压驱动供电,lo为低压驱动输出;它为Vss数字电路供电 。这个半桥电路的上支路和下支路交替导通 。每当下支路导通,上支路关断时,Vs引脚的电位就是下支路功率管Q2的饱和导通压降,基本接近地电位 。此时 , Vcc通过自举二极管D给自举电容C2充电 , 使其接近Vcc电压 。当Q2关闭时,Vs端的电压将上升 。因为电容两端的电压不会突然改变,所以Vb端的电压接近Vs和Vcc端的电压之和,而Vb和Vs之间的电压仍然接近Vcc 。当Q2开启时 , C2驱动Q2作为浮动电压源;然而,在Q2开启期间损失的电荷将在下一个周期中被补充 。这种自举供电模式是利用Vs端的电平在高低电平之间不断摆动来实现的 。
由于自举电路不需要浮动电源 , 所以是最便宜的 。如图所示,自举电路给一个电容充电 , 电容上的电压根据高端输出晶体管的源极电压上下波动 。图中的d和C2是IR2104用于PWM时应严格选择和设计的元件,并按照一定的规则进行计算和分析;在电路实验过程中进行调整 , 使电路工作在最佳状态,其中D是一个重要的自举器件,应能阻断DC干线上的高压 。它所承载的电流是栅极电荷和开关频率的乘积 。为了减少电荷损失 , 应选择反向漏电流小的快恢复二极管 。芯片中高压部分的电源来自图中自举电容C2上的电荷 。为了保证高压电路有足够的能量供应,应适当选择C2的大小 。
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