【索尼解析两层晶体管像素堆叠式cmos】近日 ， 索尼半导体第二研究部门的KeiichiNakazawa进一步解析了全新设计的首款两层晶体管像素的堆叠式CMOS新型图像传感器及制造细节 。据其介绍 ， 这款CMOS实现了饱和信号水平近乎翻倍的处理能力 。

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按照KeiichiNakazawa说法 ， 因为传感器的像素非常小 ， 光电二极管和像素晶体管对准精度达到了纳米级 ， 因此使用了一项名为为3D顺序集成的工艺技术 ， 会在生产过程中直接衬底连接在一起 ， 而不是像传统那样 ， 在生产完芯片后再连接在一起 。同时索尼使用新的连接结构 ， 让耐热性从传统400℃提升到1000℃ 。

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根据索尼官方介绍 ， 这款两层晶体管像素的堆叠式CMOS图像传感器能够在不增加手机传感器尺寸的下提升手机影像画质 ， 但索尼官方并未公布何时能够量产和应用于手机设备 。

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