长江存储交付192层3D闪存样品：年底正式量产据报道

据报道，长江存储最近已向一些客户交付了其自主研发的192层3DNAND闪存的样品，预计将在今年年底前正式推出相应产品。
上述消息人士表示，顺利推出192层3DNAND闪存芯片，是长江存储的一个里程碑。该公司正努力在NAND技术上追赶领先的韩国及美国竞争对手。
消息人士称，目前长江存储的128层3DNAND工艺良率已改善至令人满意的水平，也将月产量扩大至10万片晶圆。
该公司将很快完成其总部位于武汉的工厂二期设施的建设，设备入驻预计将在今年晚些时候启动。到2023年底，长江存储月产量可能超过20万片，全球市场份额有望达到7～8% 。
值得注意的是，近日，存储芯片大厂美光（Micron）发布了业界首个232层堆栈的3DNANDFlash芯片，并计划将这款232层堆栈3DNANDFlash芯片应用于包括固态硬盘等产品上，预计在2022年底左右开始量产，并将在2023年推出的新款SSD中使用。
此外，三星电子预计也将在2022年下半年推出200层以上3DNAND闪存。
资料显示，长江存储成立于2016年7月，由紫光集团、国家集成电路产业投资基金、湖北省集成电路产业投资基金、湖北科投在武汉新芯的基础上组建成立。据统计，长江存储总投资约1600亿元。
2016年12月，以长江存储为主体的国家存储器基地正式开工建设，其中包括3座全球单座洁净面积最大的3DNANDFlashFAB厂房、1座总部研发大楼和其他若干配套建筑，预计项目建成后总产能将达到30万片/月，年产值将超过100亿美元。
依托武汉新芯已有的12英寸先进集成电路技术研发与生产制造能力为基础，采取自主研发与国际合作双轮驱动的方式，长江存储已于2017年研制成功了中国第一颗3DNAND闪存芯片。
随着2018年长江存储的32层NANDFlash的量产，国产闪存芯片终于实现了重大突破。
不过，由于该技术与国际主流技术相差较大，所以并未在市场获得成功。
2019年9月，长江存储正式宣布，成功量产基于自研的Xtacking架构的64层256GbTLC3DNANDFlash 。
该闪存满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求，与目前业界已上市的64/72层3DNAND闪存相比，其拥有同代产品中更高存储密度。
随后长江存储的64层256GbTLC3DNAND闪存还成功打入了华为Mate40系列的供应链。
为了进一步缩短与三星、SK海力士、铠侠等公司的差距，长江存储跳过了96层，直接进行了128层3DNANDFlash的研发。
2020年4月13日，长江存储宣布其128层QLC3DNAND闪存（型号：X2-6070）研发成功，并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。
据介绍，长江存储X2-6070是业内首款128层QLC规格的3DNAND闪存，拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。
此次同时发布的还有128层512GbTLC（3bit/cell）规格闪存芯片（型号：X2-9060），单颗容量512Gb(64GB) ，以满足不同应用场景的需求。
2020年8月，长江存储又推出自有存储品牌“致钛” ，随后推出了一系列自有品牌SSD产品，并在市场上获得了不错的表现。
去年10月，国外权威研究机构TechInsights对长江存储的128层TLC3D闪存进行了芯片级的拆解，发现其存储密度达到了目前业界最高的8.48Gb/mm2 ，远高于三星、美光、SK海力士等一线NAND芯片大厂。
今年3月底，业内传出消息称，长江存储已正式打入苹果iPhone的NANDFlash供应链，为iPhoneSE3供应NANDFlash芯片。

文章图片

文章图片