今天 ， 知名数码博主@数码闲聊站放出消息 ， 称realmeGT2大师探索版将会首发一项新的充电技术 。

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据悉 ， 该技术将在手机端和充电头两边都使用GaN（氮化镓） ， 配合100W的快充 ， 能够实现25分钟左右充满5000mAh的大电池 。
此外 ， realmeGT2大师探索版首批搭载高通骁龙8+旗舰处理器 ， 同时全球首发LPDDR5X内存 ， 堪称是安卓阵营性能天花板 。
据悉 ， 这次的LPDDR5X闪存芯片最高速度能达到8.5Gbps ， 大约是上一代LPDDR5运行速度6.4Gbps的1.3倍 ， 同时功耗降低20% ， 手机获得更高性能的同时 ， 还会更加省电 。
作为“大师探索版”的一贯特色 ， 此次的realmeGT2大师探索版采用复刻硬箱造型的直角金属中框 ， 金属铆钉与机身融为一体 。背部是触摸细腻的环保素皮 ， 整机极具辨识度 。
不仅如此 ， realmeGT2大师探索版还有玻璃版本可供选择 ， realme副总裁徐起称“这是工业设计天花板” 。
realmeGT2大师探索版将于7月12日登场 。
【曝realme GT2大师探索版首发充电新技术】
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话题标签：realmeGT2大师探索版realme充电

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