SiC功率半导体产业高峰论坛举办

本文转自：中国经济新闻网
加快第三代半导体技术应用,推动大中小企业融通发展。7月27日,由北京国联万众半导体科技有限公司主办的主题为“SiC功率半导体产业高峰论坛”,通过线上+线下的方式举办。本次论坛活动由国家第三代半导体技术创新中心(北京)、第三代半导体产业技术创新战略联盟、北京智创华科半导体研究院有限公司、国际第三代半导体众联空间一同协办,北京新材料和新能源科技发展中心、北京市顺义区科学技术委员会、北京市顺义区经济和信息化局、中关村科技园区顺义园管理委员会共同指导,得到了业内专家及产业链上下游企业的一致好评。

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本次高峰论坛国联万众邀请到了西安电子科技大学微电子学院副院长、国家工程中心主任马晓华,电子科技大学教授/博导邓小川,中国科学院微电子研究所博士许恒宇,株洲中车时代电气股份有限公司中车科学家新型功率半导体器件国家重点实验室常务副主任,教授级高级工程师刘国友,中国电子科技集团公司第四十八研究所研究员级高工/高级专家周洪彪,北京天科合达半导体股份有限公司董事、常务副总经理/博士彭同华,北京晶格领域半导体有限公司总经理张泽盛,第三代半导体产业技术创新战略联盟副秘书长赵璐冰,北京国联万众半导体科技有限公司市场部部长王永维,北京智慧能源研究院功率半导体研究所副总工程师杨霏,国鼎资本投资总监吴一苇,深圳市中投德勤投资管理有限公司投资总监黄慧锋,北京国基科航第三代半导体检测技术有限公司副总经理李艳明等13位业内专家荟聚一堂,共同探讨如何加快推动第三代半导体产业向技术高端化、企业品牌化、应用泛在化、区域协同化发展,为大中小企业健康发展提供强劲引擎,促进我国企业走高质量发展道路。
北京市顺义区经济和信息化局副局长张政在致辞中表示,顺义区将第三代半导体产业发展作为顺义三大主导发展产业之一,将继续大力扶持第三代半导体产业聚集发展,形成第三代半导体产业全产业链格局,同时对顺义区第三代半导体一些利好政策进行了宣讲,解决企业在研发、生产、公共设施配套、市场推广等环节的关键问题。
西安电子科技大学微电子学院副院长,国家工程中心主任马晓华在报告中指出,氧化镓是近年来在半导体材料创新上能够实际应用的代表材料,兼具创新和产业应用的优势,提前布局超宽禁带半导体相关的基础研究,从技术跟随逐渐过渡到技术创新；由于缺乏有效的P型掺杂,提升Ga2O3器件的击穿特性同时将牺牲器件整体的电阻和效率,要实现具有竞争优势的应用还需要一段时间;目前国内该产业化投资过热,未来市场预期有限,技术成熟度目前有限,同时市场尚未出现对产业化的迫切需求。
电子科技大学邓小川教授在碳化硅功率器件特性与优势以及可靠性研究两大方面作了详细报告,报告中指出目前国际上SiC功率器件面临的技术难度正在逐步降低,随着大尺寸SiC晶圆的发展,价格最终不会成为制约的瓶颈;在混合电动汽车、电动汽车以及智能电网等节能减排行业的大力牵引下,SiC功率器件正在逐步迈向普及化。
中国科学院微电子研究所许恒宇博士在报告中提到面向“碳中和、碳达峰”为代表的国家重大战略要求,在要求满足超低损耗和高可靠性的新能源汽车领域,以应用牵引为指导,提出了SiC超结MOS器件重要性;针对产业薄弱环节,亟待引进该领域制造先进的核心制备技术的必要性和急迫性。围绕SiC超结MOS器件“理论构建、仿真设计、超结制备、工艺整合”等方面,基于SiC MOSFET开展超结MOS器件制备技术创新,明确超结外延制备技术路线,为我国新能源汽车事业和“双碳”战略推进提供关键技术支撑。