哈佛、三星联合发文提出类脑芯片:“复制粘贴”大脑连接图谱( 二 )
上述CMOS纳米电极阵列由哈佛大学研究团队此前完成 , 去年 , 该项研究发表于《自然·生物医学工程》 。研究团队在半导体芯片上加工出了4096个记录和刺激电极的CMOS纳米电极阵列 , 芯片上还有4096个电子通道 , 可以同时记录数千个神经元的突触连接 。
研究团队称 , 该纳米电极阵列能有效地进入大量神经元 , 高灵敏度地记录神经元电信号 。这些大量并行的细胞内信号记录可以为神经元连接图提供信息 。因此 , 可以从这些记录中提取或“复制”神经元连接图谱 。
“复制”完成后 , 研究团队设想 , 可以将神经元连接图“粘贴”到非易失性存储器(NVM)中 , 比如我们日常生活中使用的固态硬盘(SSD)的闪存 , 或“新”存储器 , 如电阻随机存取存储器(RRAM)等 。作者们认为 , 这些存储芯片均可用作存储网络载体 。
更进一步的是 , 作者们在这篇论文中还提出了一种快速将神经元连接图“粘贴”到存储网络上的策略 。他们提出 , 由特殊设计的非易失性存储器组成的网络 , 在细胞内记录信号的直接驱动下 , 可以学习和表达神经元连接图 。这是一种直接将大脑神经元连接图下载到内存芯片上的方案 。
作者们同时指出 , 人类大脑估计至少有1000亿个神经元 , 而它们形成的突触连接更是神经元数量的1000倍以上 。因此 , 最终用于“复制”的神经形态芯片 , 将具备存储100万亿个虚拟神经元和突触数据的容量 。
三星电子方面称 , 三星电子主导的“3D集成技术”开创了存储器产业的新时代 , 可以使得在一个芯片上集成如此多的存储芯片成为可能 。三星电子计划 , 利用在半导体制造领域的领先经验 , 继续进行神经工学研究 , 以扩大在下一代人工智能半导体领域的领先地位 。
Donhee Ham表示 , “我们提出的愿景非常宏大 , 但朝着这样一个宏伟的目标努力 , 我们将推动机器智能、神经科学和半导体技术的边界 。”(本文来自澎湃新闻 , 更多原创资讯请下载“澎湃新闻”APP)
来源:澎湃新闻
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