南芯半导体：小米澎湃p1芯片为小米自研设计 2月8日消息

2月8日消息，今天下午南芯半导体发布《关于对小米澎湃P1不实传言的说明》称，近日关注到网络上出现了很多关于小米澎湃P1的不实传言，与事实完全不符。
南芯半导体在说明中表示，小米澎湃P1芯片为小米自研设计、南芯半导体代工（内部代号SC8561）。这款芯片具备超高压4:1充电架构，实现了120W单电芯充电，支持1:1、2:1和4:1转换模式，所有模式均可双向导通，可实现有线120W、无线50W、无线反充等多种充电功能。
南芯半导体2021年9月发布的南芯SC8571 ，为超高压4:2充电架构，可实现120W双电芯充电，其针对超大功率充电需求，支持4:2、2:2两种模式。
小米自研的澎湃P1充电芯片与南芯SC8571拓扑结构完全不同，是不同设计、不同功能、不同定位的两颗充电芯片。

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今年1月份，小米推出了第三款自研芯片“澎湃P1” ，由小米12Pro首发。这是一颗专门的快充芯片，对应的“神仙秒充”技术也获得了2021小米年度技术大奖二等奖。
据介绍，澎湃P1实现了“120W单电芯”充电的突破，这是以往单电芯电池完全无法做到的高功率快充，而单电芯相比于双电芯带来的最显著的优点就是能更节省空间，同等体积下容量更大，对于机身控制也更有优势。
官方称，澎湃P1的研发历经18个月，四大研发中心通力合作，耗资过亿，最后终于实现轻薄机身下的大电量120W快充。
【南芯半导体：小米澎湃p1芯片为小米自研设计】
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