华为开发3ddram技术

【华为开发3ddram技术】IT之家5月23日消息 , 华为此前发布了一篇介绍存储器的文章——《华为麒麟带你一图看懂存储器》 。在文章最后华为表示 , 随着芯片尺寸的不断微缩 , DRAM工艺的微缩变得越来越困难 , 平面DRAM的“摩尔定律”正在逐渐走向极限 , 当今各大厂商都在研究3DDRAM作为解决方案来延续DRAM的使用 。
多个日本媒体表示 , 华为将在VLSISymposium2022(6月12日~17日在夏威夷举行)上发表其与中科院微电子研究所合作开发的3DDRAM技术 , 进行各种有关内存的演示 。
报道称 , 华为与中科院方面开发了基于铟镓锌氧IGZO-FET(由In、Ga、Zn、O组成的透明氧化物)材料的CAA(Channel-All-Around)构型晶体管3DDRAM技术 , 具有出色的温度稳定性和可靠性 。
IGZO是一种不算陌生的氧化物 , 早在2004年就由东京工业大学的细野教授发现并发表在《自然》杂志上 。
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CAA型IGZOFET垂直截面SEM图像和EDX可视化元素分布(图源:VLSIsymposium)
除华为之外 , 日媒还表示IBM、三星、英特尔、Meta、斯坦福大学、乔治亚理工学院等都将提出存储领域的新突破 。
IT之家了解到 , 华为此前已在存储领域进行深度研究 , 此前就表示要针对数据存储领域关键根技术进行突破 。
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根据此前报道 , 在去年举办的IEDM2021上 , 中科院微电子所李泠研究员团队联合华为/海思团队 , 首次提出了新型垂直环形沟道器件结构(CAA) , 该结构有效减小了器件面积 , 且支持多层堆叠 , 通过将上下两个CAA器件直接相连 , 每个存储单元的尺寸可减小至4F2 , 使IGZO-DRAM拥有了密度优势 , 有望克服传统1T1C-DRAM的微缩挑战 。