NOR Flash，也要走向3D？( 二 ) 半导体行业观察最有深度的半

两强研发3D NOR Flash目前来看，英飞凌有意缩减NOR Flash产能、美光也走向高品质小产能的路线，而全球NOR Flash前两强华邦电和旺宏仍持续固守NOR Flash战场，特别是汽车电子市场。最近，旺宏董事长吴敏求表示， NOR Flash制程走到45nm已不易再微缩下去，因为成本会大幅提升。但汽车电子及人工智能等新应用需求将推升NOR Flash市场持续增长，旺宏已投入3D NOR Flash研发，以跨越无法微缩的障碍。NOR Flash约占旺宏总营收的50% 。吴敏求看好2022年NOR Flash市况，特别是汽车芯片缺货会持续到2022年，所有与汽车有关的大客户都来找旺宏，使其NOR Flash缺货情况将一直延续到明年，价格也将调涨。据悉，旺宏在NOR Flash方面的创新包括投入垂直2T架构制程并转为低功耗，通过3D堆叠达到高密度，采用micro heater技术提升产品耐久性。该公司计划两年内推出3D NOR Flash ，预计采用45nm制程工艺。据悉，旺宏在2Gb及4Gb先进NOR Flash技术方面已抢得先机，将在明年陆续推出相关产品。工艺方面，旺宏推出了AND架构，这是一种早期的闪存电路技术，可提供位级访问，类似技术已经应用于环栅 (GAA) 3D NAND 结构的堆叠工艺。与典型的3D NAND闪存一样，这种3D NOR堆叠单元是通过在氧化物和氮化物层的多层夹层中打孔然后填充深孔来形成的。不过，旺宏的实验架构不是由多晶硅构成的均质圆柱体，而是由几个不同的异质结形成的，其中两个是 N+ 掺杂的，用作多个堆叠晶体管的源极和漏极，中间由氮化硅绝缘体柱隔开。

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图：3D AND Flash结构在AND结构中，每个晶体管都具有成对的源极线和正交的漏极连接位线。源是单独解码的，而不是有一个公共源。多晶硅“插头”连接每个堆栈中晶体管的源极和漏极。为了像NOR Flash一样运行，该结构需要采用一些电路级和编程技术。最初，旺宏是在一个8层结构上开发的，目前已经完成了34层堆栈的工作，这似乎是可行的。旺宏认为，在70层以上时，该公司提出的3D NOR Flash将挑战20nm半间距的两层交叉点相变存储器。进一步的改进可能来自铁电晶体管，它允许更低的电压操作和更快的写入速度。下面看一下全球NOR Flash龙头华邦电。该公司也在45nm制程NOR Flash方面投入了巨资，容量大概是32Mb - 2Gb 。

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该公司认为，在大多数闪存供应商看来，对于NOR Flash而言， 45nm很可能是最后一个技术节点了，与之相比， SLC NAND Flash还有制程微缩空间，在24nm之后，至少还可以进一步微缩一代制程。相对于旺宏，华邦电虽然也在先进NOR Flash方面进行投资，但力度似乎不如前者那么大，其更侧重于采用先进制程的NAND Flash的研发。因为自从2008年45nm制程NOR Flash出现后，就再也没有更先进制程的产品出现，其制程进一步微缩的难度不小。因此，华邦电研发45nm制程的NOR Flash ，是否与旺宏的3D堆叠技术路线一样，还有待观察。
结语当下， NOR Flash遇上了很好的发展机遇，无论是过去的两年，还是未来几年，各种新兴应用都呈现了，或即将呈现出爆发式增长，这给局限与特色同样凸出的NOR Flash提供了广阔的增长空间。未来几年，采用传统制程工艺的2D NOR Flash仍将是市场的主流，而随着汽车电子和人工智能的发展，给了3D NOR Flash发展空间，具体发展情况如何，就看中国台湾地区这两大NOR Flash玩家的了。摩尔芯闻您的半导体行业内参，每日精选8条全球半导体产业重大新闻解读，一天只花10分钟，享受CEO的定制内容服务。与30万半导体精英一起，订阅您的私家芯闻秘书！、半导体行业观察、摩尔App